Dissipadores de calor de diamante monocristalino CVD ultrafinos com baixa resistência térmica de interface para módulos de potência de alta densidade de potência

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Modelo: 9.1*5.15*0.2

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Principais vantagens de desempenho

Condutividade térmica excepcional : A condutividade térmica em temperatura ambiente varia de 1.000 a 2.200 W/(m·K), com classes personalizadas disponíveis para atender a requisitos específicos (TC1200, TC1500, TC1800, TC2000, etc.), superando em muito os materiais tradicionais de dissipação de calor, como cobre e alumínio.

Excelente isolamento elétrico : Com uma resistividade tão alta quanto 10¹⁴–10¹⁶ Ω·cm, uma constante dielétrica de aproximadamente 5,68 e uma perda dielétrica tão baixa quanto 6,2×10⁻⁸, ele pode ser ligado diretamente à superfície de dispositivos ativos sem a necessidade de uma camada de isolamento adicional.

Correspondência de baixa expansão térmica : com um coeficiente de expansão térmica tão baixo quanto 0,8–1,0 ppm/K, é altamente compatível com materiais semicondutores como Si, GaN e GaAs, resolvendo efetivamente problemas de delaminação de interface causados por incompatibilidade térmica.

Alta resistência mecânica : dureza Vickers >8000 kg/mm², módulo de Young 850–1100 GPa, resistência à tração 450–1100 MPa. É resistente a altas temperaturas e à corrosão, permitindo uma operação estável a longo prazo em ambientes agressivos.

Design Leve : Com densidade de apenas 3,52 g/cm³, é leve, contribuindo para a miniaturização e portabilidade de dispositivos eletrônicos.

Aplicativos

Computação e data centers de IA : diretamente integradas em chips de treinamento de IA e pacotes de GPU/CPU de alto desempenho, essas soluções reduzem significativamente as temperaturas de junção de chips, resolvem efetivamente problemas de “pontos quentes” sob altas densidades de fluxo de calor (excedendo 1.000 W/cm²) e melhoram o desempenho sustentado de alta carga.

Lasers semicondutores de alta potência : Utilizados como dissipadores de calor intermediários para diodos laser e barras laser, reduzindo significativamente a resistência térmica. Os casos de aplicação demonstram que a resistência térmica dos chips laser que utilizam dissipadores de calor de diamante é reduzida em mais de 81% em comparação com substratos cerâmicos tradicionais.

Dispositivos de RF e Microondas : Usados em amplificadores de potência de RF 5G/6G, módulos TR, substratos compostos GaN-on-Diamond e muito mais, permitindo maior densidade de potência e operação em frequência mais alta, com resistência térmica reduzida em aproximadamente 30%.

Eletrônica de Potência e Veículos de Novas Energias : Usado para dissipação de calor em módulos de potência de banda larga, como SiC e GaN, controlando o aumento de temperatura durante a carga e descarga e melhorando a densidade de potência e a confiabilidade do sistema.

Aeroespacial e Defesa : Usado para gerenciamento térmico em ambientes extremos, como espalhadores de calor para sistemas eletrônicos de satélites, componentes de radar de alta potência e eletrônicos de naves espaciais.

Comunicações ópticas e interconexões de alta velocidade : Usadas para resfriar chips de laser em módulos ópticos 800G/1.6T, estabilizando o comprimento de onda e a potência de saída e reduzindo significativamente as taxas de erro de bits.

Serviços de personalização

Nossa empresa possui recursos de fabricação ponta a ponta, abrangendo toda a cadeia de produção de diamantes – desde o crescimento do cristal até a fabricação, teste e aplicação de wafers – e oferece serviços de personalização completos, adaptados às necessidades do cliente:

Tamanhos personalizados : Fornecemos produtos de nível wafer em tamanhos de 2, 3, 4 e 6 polegadas, bem como vários formatos personalizados (por exemplo, 10 mm × 10 mm, 30 mm × 55 mm, etc.).

Condutividade térmica personalizada : Podemos personalizar produtos com vários níveis de condutividade térmica – incluindo TC1200, TC1500, TC1800 e TC2000 – para atender aos requisitos específicos da aplicação.

Espessura personalizada : A espessura varia de 200 a 1000 μm para acomodar diversos cenários de embalagem.

Tratamento de Superfície : Oferecemos serviços de retificação e polimento de precisão, com rugosidade superficial (Ra) tão baixa quanto 1 nm ou menos; também oferecemos suporte ao pós-processamento, como metalização, padronização e perfuração.

Substratos Compostos : Fornecemos soluções como materiais compósitos de diamante-cobre e substratos compósitos de diamante-silício, equilibrando alta condutividade térmica com compatibilidade de expansão térmica.